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外延矽片的生成用炭素製品-冈本视频黄片石墨

近年來生產單晶矽也趨向大型化,開始拉伸直徑12in的單晶矽。使用的熱區範圍多在32in左右使用的炭素製品為與石英坩堝相匹配、石墨坩堝外徑約為φ860mm、加熱器約為1000m,其他部件最大的為直徑1500mm隨著大型化,作為取代石墨坯料的C/C複合材料的使用漸漸擴大,同時為了提高爐內的純度,使用SiC塗層部件的傾向也在增加。圖2-7所示為C/C複合材料坩堝的例子。因為CZ單晶爐內大量使用炭素製品,並且炭素製品的質量直接影響到單晶矽的質量,特別是液麵以上的部件最好使用超高純產品。

外延矽片生成用炭素製品

把單晶矽棒切成矽片進行拋光處理後就成為拋光片。製造半導體器件時使用下列3種矽片:(1)拋光片;(2)在拋光片表麵生成單晶矽的外延片;(3)在絕緣體上生成單晶矽層的OI( Silicon On Insula-tor)矽片。炭素製品在外延片製造時使用。其方式為在石英容器內通入矽烷係列的氣體、減壓下加熱到1000℃,在拋光片上以CVD法在片基板上形成有與單晶矽片相同結晶方位薄膜的方法,此時所用的工裝基盤材料是用VD法生成SiC塗層的高純各向同性石墨。這樣做的理由是石墨具有自身高溫強度高、熱傳導性良好、加工性能好的特性,在此基礎上通過SiC塗層處理提高其表麵純度可以大幅度降低石墨的氣體發生量和發塵量。根據不同的裝置,石墨基座的形狀分為水平式、圓盤式和立柱式3種。石墨基座的形狀和外延爐的構造如圖所示最近,由於矽片的大直徑化,又開發了對每片矽片進行單獨處理的片葉式外延裝置,其基座也使用SiC塗層的高純石墨。

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