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電子器件製造裝置用高純炭素製品-冈本视频旧版下载安装ioses石墨

電子器件製造裝置用高純炭素製品

生產以記憶芯片為代表的電子器件,要經過多種處理工藝。圖所示為有關形成電子器件回路的矽片處理工序。

矽片外延處理工序。在此工序中,以矽片為基板,在其表麵生成同樣的矽單晶的同時,通過摻加不純物而形成p型層或n型層。外延工藝一般以CVD(化學氣相沉澱)為主流。其裝置的概略如圖所示。工藝流程為,用氟酸將矽片清洗,幹燥後,貼置於基座上,然後加熱升溫,通入鹽酸除去矽片表麵的氧化層,生成外延層。基座要求選擇具有不能伴有金屬汙染、耐高溫及耐鹽酸腐蝕、不與矽反應、沒有氣體發生等特性的材料。作為能滿足這些要求的材

料,一般使用以高純炭素製品為基材,通過CVD法在基材表麵進行高純SiC塗層的基座。

氧化、擴散工序。對於矽材料器件而言,這個工序是形成絕緣膜的最重要的工序。形成絕緣膜的方法有高溫氧化法和CVD法。在單體處理式的等離子體CVD方法中,高純炭素製品既是等離子體的放電電極,也是矽片的支撐板。其裝置概略如圖所示。這裏所使用的材料,同樣要求不能使用中伴有金屬汙染,而且需具有誘發等離子發生的導電性,以及對反應氣體、電極板清洗氣體的抗腐蝕性。為了解決石墨內部微量不純物的發生問題,有時也使用在表麵進行玻璃炭塗層或熱分解塗層,或者浸漬的炭素製品。現在,單體式裝置正在逐步減少,而代之以枚葉式裝置。

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