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石墨電極板形成工藝與離子注入裝置-冈本视频黄片石墨

蝕刻工序。除去前道光刻工序所指定的細微部分,形成回路模式的工序稱之為蝕刻工序。在此工序中,有使用液體的濕式蝕刻法和使用氣體的幹式蝕刻法。現在以能滿足回路模式細微化要求的幹式蝕刻法為主流。特別是等離子幹式蝕刻法已成為主流,其裝置概略如圖所示。這裏所使用的炭素產品有等離子發生用的上下石墨電極板,同時兼用作蝕刻氣體整流用的吹氣板,和防止等離子擴散用的聚焦環。如圖所示,用於石墨電極板的材料有多種,一般根據所用的蝕刻對象和使用的氣體而選擇。

離子注入裝置(接雜)。所謂離子注人就是以極高的速度將被加速的離生入書導體基板中,使用p型或口型離子不純物即可生成p或n層。裝置概略如圖所示。由於離子被高能量加速,其中極少的離子會撞擊裝置的金屬內壁,而被撞擊出的金屬壁離子會汙染矽片,為了保護離子束通過的通道內壁、卡固離子束的石墨電極板和偏向電極部分,也使用石墨電極板。離子束撞擊部位(如離子束擋銷)的溫度高達2000℃,從耐高溫、抗熱衝擊的角度而言,石墨部件也不可或缺。

石墨電極板形成工藝。在真空狀態下使與電極配線薄膜同樣的材料使之蒸發,鍍著於位置上與其相對的基板上的方法稱為PVD(物理氣相蒸鍍)技術。PVD技術有真空蒸鍍法,濺射法和離子噴鍍法3種。其中使用石墨部件的是電子束真空蒸鍍法,如圖所示其方法是在石墨坩塌(Hearth Liner)中用熱電子將蒸鍍物質(主要為鋁)加熱蒸發。但是,現在的半導體工藝以濺射裝置為主流,不使用石墨部件。現在的ISI工藝也不采用離子噴鍍法。

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