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其他器件製造用的高純石墨部件

說到器件和集成電路一般以矽器件(各種記憶單元、MPU)為代表,但是也有化合物半導體器件和LCD(液晶)。這類器件的製造裝置也大多使用高純石墨部件。下麵僅介紹其中一部分。

(1)化合物半導體器件。最常見的化合物半導體器件有發光二極管和半導體激光。圖所示為發光二極管的製造工藝。

這裏所使用的石墨製品有製作(化合物)單品棒時加熱用的加熱器和坩塌,以及外延生長置藝用的工裝。工業上所使用的外延生長法有液相外延法(LPE)和有機金屬CVD(MOCVD)法。圖2-37所示的是LPE法。LPE法的工藝為把化合物單晶片置於石墨滑板上,使熔融的同成分化合物(元素配合比不同)單晶片逐層成長,熔融物的容器也用石墨材料。工藝過程中若有金屬成分混入,將阻礙二極管/激光的發光,所以必須使用高純石墨部件。

(2)液晶。當今,液晶製品已成為電子顯示技術所不可或缺的器件,今後,其使用範圍還會不斷擴大。液晶器件的製造使用玻璃基板,由於在基板上形成回路的方法與矽器件基本相同,其工藝過程也大量地使用炭素製品,由於版麵所限不再詳述,但其大有作為。

(3)液晶製造玻璃基板熱處理用的石墨板。在對液晶顯示裝置用的玻璃基板進行緩冷處理時,使用內埋金屬加熱器的石墨板。為了防止石墨粉黏附在玻璃上,一般使用玻璃炭塗層石墨。另外,由於玻璃基板的平麵度極為重要,要求石墨板自身的平麵度要好。玻璃金屬封

接用石墨板如圖2-38所示。

(4)TFT型液晶顯示用離子注入裝置部件。作為液晶顯示方式的一種,TFT方式是在Si薄膜上形成多個晶體管,但是需要添加摻雜物質的As或P。其做法與矽半導體同樣也用離子注入法,部分裝置也使用高純石墨部件。由於離子束的衝擊以及防止晶體管器件內混入摻雜物質以外的不純物,也需要使用高純石墨。

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